SAMSUNG 三星将半数 4 纳米产能投入 HBM4 底层芯片生产

随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。

HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分芯片位于多层堆叠DRAM晶粒下方，承担内存与计算核心之间的数据传输任务，并能够整合更多逻辑电路功能。

三星目前采用自身4纳米SF4工艺生产HBM4底层芯片，相关生产主要在平泽第二与第三园区的S5、S6产线进行。随着AI芯片客户对于HBM4需求持续增长，公司正在显著提高相关产能配置比例。据业内人士透露，目前三星4纳米产线已经接近满负荷运转状态，而其中约50%至60%的产能正被用于HBM4底层芯片制造，并预计这一比例将在未来数月内保持高位。

推动这一变化的重要原因之一，是市场对于定制化HBM方案需求迅速增加。越来越多客户希望在HBM4底层芯片中直接整合专属逻辑模块，例如内存控制器、PHY接口电路以及其它针对特定应用优化的功能单元。这样一来，原本需要放置在主计算芯片上的部分电路可以转移至HBM底层芯片中，从而降低计算芯片面积占用，提高整体设计效率，并释放更多空间用于计算单元部署。

这一趋势在ASIC市场尤为明显。随着Google、微软、亚马逊以及其他大型云服务企业持续开发自研AI加速器，对于具备定制能力的HBM4产品需求不断增长。三星同时拥有存储器、晶圆代工和先进封装业务，被认为在提供定制化HBM解决方案方面具备独特优势。

市场份额变化也反映出三星近年来在HBM业务上的快速追赶。数据显示，2026年第二季度三星按营收计算的HBM市场份额已经达到38%，相比一年前约15%的水平实现大幅增长。与此同时，长期占据主导地位的SK海力士市场份额则从2025年第二季度的64%下降至2026年第二季度的50%。越来越多客户开始采取多供应商策略，从三星采购更多HBM产品，以降低供应链风险。

三星此前已经开始向客户提供HBM4样品，并计划在2026年下半年全面扩大出货规模。公司预计第三季度HBM4业务收入将较前一季度增长逾三倍，而在整个下半年，HBM4收入有望占到三星HBM总营收的60%以上。

分析人士认为，将一半以上先进4纳米产能投入HBM4底层芯片生产体现了三星对AI市场的强烈押注。随着英伟达下一代Rubin平台以及更多云计算企业定制AI芯片陆续进入量产阶段，HBM4很可能成为未来几年半导体产业增长最快的领域之一。对于三星而言，依靠定制化底层芯片、先进制程工艺以及持续扩充的产能，公司有望在未来进一步缩小与SK海力士之间的差距，并争夺更多AI内存市场份额。