Snapdragon 骁龙 835 将会是高通首款 10nm 芯片

就在刚才，高通正式公布了下一代的旗舰移动 SoC Snapdragon 835。这款芯片将会由三星代工，基于 10nm FinFET 制程，跟现有的 14nm Snapdragon 821（也是三星制造）相比，其性能要强出 27%，同时最多能降低 40% 的功耗。除此之外，据称 S835 的设计也有所改进，在总体续航力上将会有「显著」加强。

实际上，在目前的芯片市场中，Intel 和台积电也都在磨练自己的 10nm 技术，但真正能做出成品的，韩国巨头还是第一家。按照三星副总裁 Jong Shik Yoon 的说法，与高通的合作「是其制造业务的重要里程碑」，而且老实讲，多亏得芯片跟面板业务够力，Note 7 事件带来的经济损失，影响相对来说已经被冲淡了不少。至于搭载 S835 的手机，预计会在 2017 年上半年问世（里面多半会有 Galaxy S8），届时高通说不定还会另推一款 S830 用来满足不同的客户。

值得一提的是，跟 S835 一同公开的还有新一代的快充技术 Quick Charge 4。据称它能带来比 QC 3.0 快 20% 的充电速度，充电 5 分钟可带来最高 5 小时的续航时长，连充 15 分钟后，基本能给采用 S835 处理器的手机灌入差不多一半的电量。

更重要的是，这套新方案用到了高通的 INOV 技术（Intelligent Negotiation for Optimum Voltge，最佳电压智慧协调），而且它还符合 Google 为 USB Type-C 提出的最新参考指南，不像 QC 3.0 那样有违 Nougat 的规格要求。大家都知道，Google 现在希望避免各类不同快充标准所带来的潜在使用隐患，毕竟像一加 2 充电线充坏其它设备这样的事情，到今天为止已经发生不少例了。

对此高通表示，自家的新技术「为充电器和移动设备都准备了先进的保护功能」，它可以调整电流、电压和温度，用来确保电池、电线和连接器的安全。「为了避免电池过充和调节每个充电周期内的电流，我们还专设了额外的保护层。」高通在新闻稿中这么写道。毫无意外，QC 4 能兼容 USB Power Delivery 肯定是一件好事。毕竟 Google 已经给出了「强烈建议」，未来的 Android 版本会要求 Type-C 手机完全匹配标准 Type-C 充电头的互用性（Interoperability），虽然这读起来是一个「可能出现的要求」，但言下之意其实已经很明显啦。