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英特尔最新 10nm 技术改名为「Intel 7」,新制程路线图看向「埃」时代

2021-7-29 02:26| 发布者: Mic| 查看: 20| 评论: 0


英特尔今日稍早详细公开了最新的制程与封装技术规划,不仅带来了极具野心的新时程,同时也重新命名了其节点,将其节点与物理尺寸脱勾。目前对于节点的命名(也就是我们常说的「几纳米」)是以半导体上最小的零组件尺寸为基础,虽然说就广义上来说代表示技术演进的世代,但就算是这些零组件本身,也会因为结构和技术,而在性能上有着差异。这使得英特尔的 10nm 技术有着虽然与他厂 7nm 类似的性能表现,但在纸面上看起来就是差了一个世代。



因此英特尔将在节点命名中捨弃直接使用纳米数,而是将节点「概念化」,将即将上市的 10nm Enhanced Superfin 改名为「Intel 7」,并且随后推出「Intel 4」、「Intel 3」等,依此类推。Intel 7 依然是以 FinFET 技术的优化为主,相较于目前最新的 10nm SuperFIN,每瓦效能约可提升 10~15%。Intel 7 将会用在今年底的 Alder Lake 笔记本处理器与明年初的 Sapphire Rapids 数据中心处理器上。Intel 4 则是使用极紫外光(EUV)微影技术来进行微缩,预计每瓦性能可以再提升 20%,并将在 2022 年下半年开始量产,2023 年开始出货。率先採用 Intel 4 的产品预计为再次世代的 Meteor Lake 消费型处理器与 Granite Rapids 数据中心处理器。而 Intel 3 则是 FinFET 的最后一次登场,运用 FinFET 与 EUV 的再进一步优化,实现相较于 Intel 4 再 18% 的每瓦性能成长。Intel 3 预计 2023 下半年开始生产。



由 Intel 3 再往后,英特尔便将进入「埃」时代。埃(Angstrom)是 0.1nm 的长度,因此下一个节点的「Intel 20A」其实等同于 2nm 的意思。Intel 20A 将引入两个突破性的新技术「RibbonFET」与「PowerVia」,前者为英特尔新的环绕式闸极的实作成果,能在较小的面积中垂直叠放多个鳍片,在缩小面积的同时,也能用相同的电流提供更快的晶体管开关速度。PowerVia 则是将芯片正面供电的迴路与讯号传递的回路分离,移到芯片的背部。如此一来就能避免供电与信号之间的干扰,优化信号的传递。Intel 20A 预计 2024 年量产,而英特尔已经找上了高通做为未来采用 Intel 20A 制程技术的客户。最后,由 Intel 20A 改良的 Intel 18A 也已进入开发阶段,预计 2025 年初问世,英特尔并且已经与 ASML 在合作当中,开发名为「高数值孔径 EUV」的未来生产工具。


仔细算一下的话,由现在到 2025 年初之间,英特尔将要追 5 个节点,并且在中间进行至少一次的技术转换,野心不能说不大。但自然在这期间竞争对手也不会在原地踏步,英特尔就算能以高速追赶,恐怕要回到过去主宰市场的位置也不是一蹴而就的了。不过对于我们消费者来说,有高度的竞争才是好事,也希望英特尔能真的照着路线图走,持续保持着竞争力咯。


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